XIV. Nemzetközi konferencia a pulzáló lézerekről és a lézeres alkalmazásokról (2019) Publications Spie

A minták előállításához 18 nm-t használtunk. Lehetővé tette a kerámiák szintézisét 300–400 nm átlagos szemcsemérettel olyan alacsony hőmérsékleten

1200 ° С. Kimutatták, hogy a Fe-ionok tetraéderes rácshelyeket foglalnak el, kötelező kötelező vegyértéke 2-vel egyenlő, ha a magnézium-aluminát-spinell mintáinak vas-tartalma nagyobb, mint 1 tömeg%. A sugárzás átvitele a mintákban a hullámhossz növekedésével nőtt a pórusok által okozott Rayleigh-szórás csökkenése miatt. Megállapítást nyert, hogy a mintákban a sugárzás átvitele erős és gyenge lézersugárzás esetén -164 ° С és + 22 ° C közötti hőmérséklet-tartományban állandó marad.

3,8 μsec. Kimutattuk, hogy a fotolumineszcencia maximuma mindkét kristályban, a CaGa2S4: Eu 2+ és a CaGa2Se4: Eu 2+, a héj 4a 6 5d - 4f 7 (8 S7/2) ionok belső átmenetének köszönhető.

30 fs a teljes 40 mm-es sugárnyíláson. Megmutatták azt is, hogy az Offner sémán alapuló belső teleszkóppal ellátott hordágyakkal 3,6 μm tartományban lehetséges az amplifikált negatívan csiripelt impulzusok 40 ps időtartamú és oktáv közeli spektrumszélességű, közel közeli spektrumának tömörítése. korlátozott sávszélességű 18 fs időtartam 20 mm-es rekesznél.

24,6 ps. Az impulzusok átlagos teljesítményét a becslések szerint kb

1 mW a fő oszcillátortól, és jelenleg legfeljebb

15 mW teljesítményerősítővel. Viszonylag alacsony ismétlési arány

7,925 MHz jel-zaj aránnyal

A rezonátor hosszának felhasználásával 69 dB-t értünk el

25,6 m. A kapott rezsim rövid távú stabilitásának jellemzésére megmértük a lézer relatív intenzitású zaját is, amely a Show Abstract

15 mm), így gyorsan felmelegednek, ezért intenzív hűtőbordára van szükség. A hő- és gázdinamika, a fűtés és a hűtés összetett fizikai és matematikai modellje új, mivel az összes fizikai folyamat egymással szorosan összekapcsolt régió határában kapcsolódik össze. A magas hőmérsékletű gázdinamikus lézerek hűtésének problémájának megoldása a tervezés során az egyik fő probléma. A numerikus megoldás eredményeit a gáz hőmérsékletére, a hőátadási tényezőre, a hűvösebb hőmérsékletre, valamint a fúvóka kritikus szakaszának hőmérsékletére vonatkozóan kapjuk.

40 Torr-ot tanulmányoztunk. Kimutatták, hogy az E/n törési mező, amelynél az elektronegatívból az elektropozitív plazmába való átmenet történik, növekszik az Ar-S2 keverék kénfrakciójával. Az Ar-S2 plazma a szimulációk szerint elektronegatív; az Ar-S2 plazmában az elsődleges pozitív ionok az S2 + és Ar + ionok, az elsődleges negatív ionok az S2 - és az S - ionok. Megállapítást nyert, hogy az S2 * (B 3 Σ) molekulák feszültségimpulzus-sűrűsége alatt gyorsan emelkedik és meghaladja más gerjesztett fajok sűrűségét; ha azonban a feszültségimpulzus csökken, és ennek következtében az elektronok energiája csökken, a gerjesztett kénmolekulák sűrűsége azonnal csökken, míg a rezonanciával gerjesztett argonatomok sűrűsége nagyon lassan csökken. Ez okozza az Ar vonalak és az S2 sávok megjelenését a pulzáló-periodikus kisülés spektrumában kéngőz argon keverékekben.

300-320 nm) - a nap rövidhullámú sugárzásának szimulátoraként - használják az ultraibolya sugárzás forrásának minőségében. Új adatokat mutatunk be számos, XeCl-excilampnak kitett gazdaságilag értékes növény (petrezselyem, uborka, tök, cukkini) morfometriai és morfológiai mutatóiról. Különösen kimutatták, hogy az ultraibolya kezelés átlagosan 40% -kal növeli a cukkini gyümölcsök ("Tsukesha" fajta) számát a kezeletlen kontrollmintákhoz képest, és megnöveli a levelek asszimiláló felületének területét (az utáni első héten). csírázás és egy hónap és két hónap múlva) átlagosan másfélszeresére. A kontroll 90 másodperces kezeléshez képest a cukkini magasabb C-vitamin-tartalmat eredményezett a gyümölcsökben, és a nitrát kétszeresét csökkentette 64 ± 7 mg/kg-ra. Hasonló eredményeket értünk el a sütőtök esetében is. Az első XeCl-excilamp sugárzást petrezselyemmagnak vetettük alá. Megtalált feldolgozási körülmények, amelyekben átlagosan 20% -kal növelheti a hozamot. A kapott mutatók lehetővé teszik számunkra a következtetés levonását az XeCl-excilamp vetőmagok megvilágításának gazdasági megvalósíthatóságáról és megerősítik következtetéseinket a növények vetés előtti vetésével kapcsolatos ilyen eljárás kilátásaival kapcsolatban.

850 mJ, f = 20 Hz). Valamennyi vizsgált kristály esetében azonosították a helyi mikrohibák előfordulását és az impulzus által kiváltott hevítést, amely felelős a károsodási küszöb mechanizmusáért. A jelen munkában kapott GaSe-eredmények jól egyeznek az irodalomban publikáltakkal az optikai paramétergenerátor λ = 1,1 ÷ 2,9 μm vonalainak spektrális tartományában gerjesztett lézervonalakkal gerjesztett károsodási küszöbértékkel kapcsolatban. A GaSe1-x Sx, InSe és GaTe kristályok szilárd oldatainak károsodási küszöbértékét először közöljük.

5 Pa és d 2,7 mm. Elektronsugár-áramimpulzust rögzítettek egy fólia-anód mögött, amelynek magas (max

80 ps) időfelbontás. Megállapították, hogy a kumulációs hatás miatt egy 20 μm vastag alumíniumfóliában 2-3 kisülési impulzus után átmenő lyuk képződik. Megállapítást nyert, hogy az elektronnyaláb a legnagyobb nyalábáram sűrűségű zóna körül is regisztrálódik. Alábbiak szerint