A kristálynövekedés szempontjából releváns atom-léptékű folyamatok elméleti tanulmányai

A fizikai kémia éves áttekintése

Kémiai Tanszék 351700, Washingtoni Egyetem, Seattle, Washington 98195-1700; e-mail: [e-mail védett]

Absztrakt

Az atomok növekvő felszínen történő adszorpciójának, diffúziójának, szigetképződésének és rétegek közötti transzportjának vizsgálata az elmúlt évtizedben aktív terület volt, mind a kísérleti, mind az elméleti fejlődés miatt. A kísérletek részletes képeket adhatnak a növekvő felületeken kialakult mintákról. Az elméleti tanulmányok fontos kihívása a mintaképződést és a teljes felület morfológiáját szabályozó dinamikus folyamatok azonosítása. Ez az atomi kölcsönhatások pontos modellezésével, az aktív atomi léptékű folyamatok alapos felkutatásával és a növekedés szimulálásával érhető el a kísérleti időskálán, hogy lehetővé tegye a kísérleti mérésekkel történő részletes összehasonlítást. Itt adunk áttekintést ezekben a tanulmányokban alkalmazott elméleti módszertanról és az egyik legszélesebb körben tanulmányozott rendszerre, Pt (111) elért eredményekről. A jelenségek figyelemre méltó gazdagsága derült ki ezekből a vizsgálatokból, ahol a látszólag kis hatások elmozdíthatják az egyensúlyt a versengő molekuláris folyamatok között, és ezáltal megváltoztathatják a növekvő felületek morfológiáját. A cikk a lehetséges jövőbeni irányok megvitatásával zárul ezen a kutatási területen.